Memory

戴爾 r710 - 256GB RAM 配置,使用 16GB DIMM,帶四列

  • December 5, 2017

我只是想根據我對戴爾 r710 記憶體 DIMM 配置的理解來徹底檢查這一點。

我目前已經安裝了 8 個 16GB DIMM (Hynix HMT42GR7BMR4 C -G7)。

我額外購買了 8 個 16GB DIMM (Hynix HMT42GR7BMR4 A -G7)。

我希望利用所有 16 個 DIMM 來實現總共 256GB 的可用記憶體(這是針對嵌套 vSphere 環境的)。但是,在多次嘗試找到 DIMM 的工作配置/放置後,我開始相信我無法使用每個通道中的第三個插槽,因為前 2 個 DIMM(來自上述每個型號的一個)是四列的.

每個通道只能支持 8 個等級。

我是否正確地認為由於這個限制我只能在每個通道中填充 3 個 DIMM 插槽中的 2 個?因此每個通道 32GB,每個 CPU 3 個通道(總共 96GB),總可用值是 192GB?

是否可以找到具有較低等級的 DIMM?即只有雙列的 16GB DIMM 或類似的東西,所以我可以從 16GB DIMM 製作 256GB?

配置:

看圖片

參考:

http://www.dell.com/downloads/global/products/pedge/en/server-pedge-installing-upgrading-memory-11g.pdf

是的,只要您的配置包括四列 DIMM,您就可以在每個通道中安裝兩個插槽。

它為您提供每個 CPU 的最大 96GB,因此總計為 192GB,這是根據 P.129使用者手冊使用四列記憶體的最大可配置大小。

因此,如果您需要使用 16GB DIMM 獲得 256GB,則需要使用 Dual-rank,您可以在此處找到。

引用自:https://serverfault.com/questions/870775